Cоздан материал для фотонных суперкомпьютеров

Ряд уникальных химических соединений, необходимых для разработки фотонных суперкомпьютеров и солнечных батарей на подводных аппаратах, первыми в мире в промышленных масштабах получили российские ученые. Данные опубликованы в Journal of Alloys and Compounds.

Сложные сульфиды – вещества с полупроводниковыми свойствами. Они известны уже несколько десятилетий, однако по причине крайне сложной технологии синтеза практического применения им не находилось. Специалистам удалось усовершенствовать методику производства наиболее перспективной группы из этого типа веществ – сложных сульфидов лантаноидов (BaLnCuS3). Также с помощью новой технологии соединения BaPrCuS3 и BaSmCuS3 были получены впервые в мире.

Новая методика значительно проще, быстрее и дешевле других существующих методов, что делает ее оптимальной для промышленного производства. Из-за трудности синтеза у соединений этого типа, как отметили ученые, прежде не удавалось изучить даже кристаллическую структуру и основные физико-химические свойства.
Cоздан материал для фотонных суперкомпьютеров
Cоздан материал для фотонных суперкомпьютеров
«Ряд открытых нами свойств позволяет говорить о больших практических перспективах новых соединений. Например, для них характерна оптическая анизотропия, то есть при освещении кристалла с разных ракурсов свет будет проходить через него по-разному. Это позволяет управлять световым потоком, что востребовано, например, при создании фотонных суперкомпьютеров», – рассказал автор методики синтеза аспирант кафедры неорганической и физической химии ТюмГУ Никита Азарапин.

Исследование показало, что полупроводниковые элементы из сложных сульфидов могут быть использованы при крайне высоких температурах, до 1300°C – например, в зоне вулканической активности или в космосе под прямым воздействием Солнца.
Кроме того, вещества этого типа, как объяснили специалисты, поглощают из видимого спектра зеленый и желтый свет, что может быть использовано при создании солнечных элементов на подводных аппаратах. Получать энергию из солнечного света такие устройства, по словам ученых, смогут на глубине до 50 метров.

Исследование полученных соединений проводилось при поддержке Института физики им. Л. Киренского СО РАН, Федерального научного центра КНЦ СО РАН и Института физики полупроводников СО РАН. Также в исследовании принимали участие специалисты Индийского технологического института. Ученые намерены продолжить изучение свойств новых веществ.


Источник:
Управление стратегических коммуникаций ТюмГУ

Фото: 2.wi-fi.ru

Рубрики:
Меню